半導體放電管是一種雙向二端半導體器件，其內部機構與雙向晶閘管十分相似，但沒有觸發門，是電壓自觸發器件。它是在單晶片兩面同時采用平面工藝摻雜同種雜質而形成的兩面結構完全相同的器件。選用不同的材料和工藝，可以做出各種不同的電壓和電流的放電管
固體放電管是基于晶閘管原理和構造的一種兩端負阻器材。能夠吸收突波，按捺過高電壓，達到維護易損組件的目的。該器材是在硅單晶片兩面一起摻雜同種雜質而構成。選用不一樣的材料和工藝，能夠做出各種不一樣電壓和電流的放電管。
固體放電管的作業原理和一個兩端的可控硅相似，簡述如下：
固體放電管兩面的構造基本上是相同的。在運用中兩個極都有加高電位的可能性。在剖析作業原理時，假定A接高電位，K接低電位，該器材的特性曲線，能夠把導通與阻斷的過程分為四個階段。
1)阻斷區：圖2中的0到VBR段。
此刻器材所加電壓低于擊穿電壓，J1正偏，J2為反偏，電流很小，J2起到了阻擋電流的效果。外加電壓幾乎都加在了J2上，由于漏電流很小，固態放電管電阻很大，故稱為阻斷區。
2)雪崩區：VBR到VBO段
所加電壓從VBR逐漸增加到VBO時，J2的空間電荷區內的電場很強，區的寬度被拉得很寬，區內的載流子在滿足強的電場效果下，產生了倍增效應，經過J2的載流子俄然增加，電流也俄然增大，這即是雪崩區。
3)負阻區：VBO到A段
當外加電壓增加到大于VBO時由于雪崩效應而產生了很多的電子空穴對，此刻這些載流子在電場的強烈的抽取效果下，進入N2區，很多的電子與空穴因不能很快復合而別離堆集在N2區和P2區，因而使J2空間電荷區的電場減弱，降落在J2上的電壓將降低，雪崩效應隨之減弱，但外加電壓并不變，這么加在其它結上的正偏壓要增加，從而使經過J2的電流增大，于是，出現了電壓不變而電流增加的負阻現象。
4)導通區：A到B段
雪崩效應，使J2空間電荷區越變越窄且由反偏變成了正偏，這么器材的阻抗變得很低，電流變得很大，于是器材由高阻的阻斷狀況，變成了低阻的導通狀況，其伏安特性曲線類似于整流元件的正向特性。
從上述原理中能夠看出，當外加電壓低于VBR時，漏電流很小，處于斷開狀況。不影響被維護組件的正常作業。當外加電壓大于VBO時，放電管很快進入導通狀況，壓降很小，起到了維護效果。外加電壓去掉后，電流很快就降到低于維持電流IH，放電管自然恢復，回到斷開狀況。
綜上所述，該器材的長處是導通電壓小，幾乎無熱耗，可重復運用，能接受較大的沖擊電流，呼應快，運用安全、可靠，其功能優于其它剎那間過壓維護元器材。
